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一、硅基硅厚 《一种去除了碳化硅基底上硅厚膜的种去措施》是中国迷信院长春景秋色学详尽机械与物理钻研所于2013年3月1日恳求的专利，该专利的除碳措施宣告号为CN103204709A，授权宣告日为2013年7月17日，化硅厚膜缔造人是基底简述王彤彤、高劲松、上硅施对王笑夷。该缔造属于薄膜聚积技术规模。该缔造属于薄膜聚积技术规模。
二、 《一种去除了碳化硅基底上硅厚膜的措施》该措施是运用化学试剂去除了硅厚膜，先用碱以及酸的溶剂将概况的有机传染物去除了，而后运用混合酸溶液将硅厚膜侵蚀、去除了，最后将碳化硅基底概况洗涤清洁。该缔造的有利下场是：该措施可能在不伤害碳化硅基底以及概况面形的条件下快捷去除了硅厚膜，克制了物理抛光法带来的周期长、耗时多以及简略修正碳化硅基底的镜胚面形的技术危害下场，实用地后退了碳化硅基底的加工功能，具备很高的适用价钱。
三、 2019年10月，《一种去除了碳化硅基底上硅厚膜的措施》取患上第三届吉林省专利奖优异奖。
四、 （概述图为《一种去除了碳化硅基底上硅厚膜的措施》摘要附图）
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